抄底资金来了！半导体和韩国ETF获强劲资金流入，内存板块持续“失血”

全球ETF投资者正以创纪录的规模和极高的杠杆率“抄底”半导体和韩国市场，而内存板块却遭到持续无情抛售。 据追风交易台消息，摩根大通10月19日发布的最新资金流向报告显示， 全球股票ETF单周（10月16日当周）狂揽463亿美元 ，其中 3倍做多半导体ETF（SOXL）创下72亿美元的历史最高资金流入，韩国ETF迎来今年7月以来最强资金流入 。然而，资金在科技板块内部出现显著分化， DRAM（内存）主题ETF连续第八周遭遇资金流出 。 报告称，当前市场呈现出典型的"恐慌性抄底"特征—— 散户和激进投资者借助高杠杆工具押注AI相关半导体反弹，但机构CTA策略基金同步减仓美股 ，两股力量的博弈值得高度关注。 内存与韩国整体市场的资金背离 ，则暗示市场对存储芯片基本面的担忧并未消散。 此外，CTA（商品交易顾问）基金开始削减美股敞口并做空罗素2000指数，固收市场则出现从长期国债向市政债券的轮动。

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