2045年的芯片长什么样？英特尔晶圆厂实录：芯片会长高，每一步新结构都要熬十年

10月23日，知名科技播客主持人Dwarkesh Patel发布最新一期特别节目。他在英特尔的晶圆厂和研究实验室走访两天，与五位技术负责人对话，话题从环绕栅极、背面供电、CFET，一直谈到英特尔与马斯克Terafab项目的合作。 这些对话指向两个判断。2045 年的芯片会继续往三维堆叠的方向长： 晶体管、连线、芯片之间的连接都在向上叠，但每种新结构要花约十年消化散热和集成难题，工程师自己对技术路线也只有约四年的能见度。眼前更紧的约束是设备：主持人提到AI算力十年来每年增长3倍，英特尔CTO给出的估算是，现有全球设备大概只够把先进制程晶圆产量翻一倍。 英特尔研发负责人：2045年的芯片会往上长，热量是躲不开的账 芯片靠晶体管运算。晶体管是微型开关，开合对应 1 和 0。给它的栅极加电压，下面的沟道导通；撤掉电压，沟道关闭。 器件缩小后，沟道关不严，电流会漏过去。办法是让栅极从更多侧面管住沟道

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